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CAREER/Semiconductor

#1. 반도체 소자 설계 신뢰성 분석

#목표
모든 산업의 핵심 부품인 반도체는 열, 진동, 충격 등의 stress에 취약한 편
이런 반도체의 신뢰성을 검증하려면 실제 사용 조건보다 강한 스트레스를 가하는  가속 테스트(acceleration test)를 수행함
반도체 신뢰성에 관련된 스트레스, 가속 테스트, 주요 신뢰성 인증 규격에 대해 살펴보는 것이 목표
 
#반도체 신뢰성 저하 원인
1. 온도 변화
- 내부 발열, 오동작, 속도 저하 유발
2. 충격 및 진동 
- fatigue, intermetallic compound, 박막 들뜸, 균열, Bonding wire 끊어짐, Pad 접합 떨어짐
3. Electro-migration
전자가 한 방향으로 움직이며 금속 원자핵에 지속적인 힘을 가해 금속 원자핵이 한쪽으로 쏠려 배선이 끊어지는 경우
4. Hot electron
- 강한 전압으로 가속되면 절연체인 산화막을 뚫고 지나가서 원하지 않는 전류 생성
4. 제조 공정
- Sawing에 의한 문제일 수도 있음
 
∴신뢰성 저하는 복합 요인에 의한 것 > 신뢰성 강화를 위해 실제 스트레스를 가하여 failure가 생기는지 관찰 후, 해당 failure가 발생하는 양상에 따라 원인을 추정하여 보완/개선
 
#가속 테스트
- 반도체가 전체 동작 기간 동안 받을 스트레스와 동일한 효과를 내도록 단기간에 스트레스를 집중적으로 준 후, 정상 동작하는지 확인하는 것
- 스트레스 총량을 합하는 것이 아닌, 해당 반도체를 실제로 사용할 때와 동일한 고장률을 보이도록 가속 테스트에서 가하는 스트레스의 양을 정교하게 계산해야 함

 
- 일반적으로 고장률은 다음 3가지 요소의 합으로 결정되며 Bathub curve로 나타남

초기 고장 (Early failures)설계상, 공정상의 문제점으로 발생하며 초기에 집중됨
임의 고장 (Random failure)우발적 요인으로 발생하며 동일한 발생 확률을 가짐
노후 고장 (Wear-out failure)오랜 사용으로 노후화되어 발생하며 후기에 집중됨

 
- 가속 테스트를 개발할 때는 
1) 정상적인 사용과 가속 테스트 시의 스트레스 결정
2) 스트레스의 크기로부터 AF를 계산
3) 정상적인 사용에서 보장해야 할 TTF를 결정
4) TTF와 AF로부터 가속 테스트의 진행 시간을 결정한다.
*무고장시간(TTF, Time-To-Failure): 고장이 발생할 때까지 걸리는 시간
*가속비 (AF, Acceleration Factor): 가속 테스트의 TTF와 정상 사용시 TTF 사이의 비율 / 가속 테스를 통해 단축할 수 있는 테스트 시간의 비율을 의미
- AF는 수학적, 물리적인 모델로 부터 결정됨

활성화 에너지 (Ea, activation energy)는 각각의 고장 메커니즘을 모델링하여 실험적으로 결정한 파라미터

 
#반도체 신뢰성 규격
- 미국 국방부위 MIL-STD-750
- JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)의 규격 : 가장 넓은 범위를 다룸
- AEC (Automotive Electronics Council) : 자동차 반도체 분야
ex) AEC-Q100 (semiconductor), AEC-Q101 (discrete parts), AEC-Q102 (opto-electronics) AEC-Q104 (Multi-Chip-Module), AEC-Q200 (passive components)
 
- AEC-Q100은 반도체에서 나타날 수 있는 주요 고장 메커니즘을 고려하여 개발한 가속 테스트임 > 해당 반도체의 신뢰성을 인증할 뿐만 아니라 가속 테스트의 결과로부터 설계상, 제조상의 문제점을 쉽게 찾아낼 수 있음
- failure mechanism의 변화/반복 범위를 규정 > 반도체에 스트레스를 가함 > 동작/외관상의 변화 확인
- 테스트마다 중점적으로 확인할 고장 메커니즘이 결정 > 테스트를 통과하지 못할 경우 테스트의 결과로부터 설계/제조상 특정 부분을 재검토하여 고장의 원인을 찾아낼 수 있음

 
- A~G까지 7개의 테스트 그룹으로 구성
A: Accelerated environment stress tests
B: Accelerated lifetime simulation tests
C: Package assembly integrity tests
D: Die fabrication reliability tests
E: Electrical verification tests
F: Defect screening tests
G: Cavity package integrity test
 
몇 가지 단위 테스트의 예시
1) PC (preconditioning)
신뢰성 테스트 이전, 반도체가 부착된 테스트용 인쇄 기판에 스트레스를 가하여 부품이 정상적으로 장착되어 있는지 확인
이후, 다른 시험에서 결함이 발견되었을 때 해당 결함이 테스트용 인쇄 기판의 문제가 아닌 반도체 자체의 문제임을 보장하기 위해 필요
2) THB (Temperature-Humidity-Bias), HAST (Highly Accelerated Stress Test)
동작 상태에서 고온 다습을 견딜 수 있는지 테스트, 내부 금속 부식을 가속하는 목적
최대 전압을 가하고 THB는 85℃/85%RH에서 1,000hour / HAST는 110℃/85%RH에서 264hour or 130℃/85%RH에서 96hour 경과 후 정상 동작을 수행하는 지 측정
 
#ref.
[1] https://www.iitp.kr/kr/1/knowledge/periodicalViewA.itmasterCode=publication&searClassCode=B_ITA_01&identifier=130